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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2N3507
Central Semiconductor Corp
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2N3507 - Central Semiconductor Corp

Hersteller Artikelnummer
2N3507
Hersteller
Central Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-2N3507
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
2N3507
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Datenblatt
2N3506-07.pdf
vorrätig: 4800

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Spezifikation

2N3507 Tech -Spezifikationen
Central Semiconductor Corp - 2N3507 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Central Semiconductor Corp - 2N3507

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Central Semiconductor  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 250mA, 2.5A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TO-39  
Serie -  
Leistung - max 1 W  
Verpackung / Gehäuse TO-205AD, TO-39-3 Metal Can  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 3MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 500mA, 1V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Central Semiconductor Corp 2N3507.

Produkteigenschaften 2N3507 2N3501UB 2N3563 2N3583
Artikelnummer 2N3507 2N3501UB 2N3563 2N3583
Hersteller Central Semiconductor Corp Microchip Technology Central Semiconductor Corp NTE Electronics, Inc
Serie - Military, MIL-PRF-19500/366 - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA 10µA (ICBO) 50nA (ICBO) 10mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50 V 150 V 12 V 175 V
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) - -65°C ~ 200°C (TJ)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 500mA, 1V 100 @ 150mA, 10V 20 @ 8mA, 10V 40 @ 500mA, 10V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 250mA, 2.5A 400mV @ 15mA, 150mA - -
Verpackung / Gehäuse TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 3-SMD, No Lead TO-106-3 Domed TO-213AA, TO-66-2
Paket Bulk Bulk Bulk Bag
Transistor-Typ PNP NPN NPN NPN
Leistung - max 1 W 500 mW - 35 W
Frequenz - Übergang 3MHz - 600MHz -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A 300 mA - 10 mA
Supplier Device-Gehäuse TO-39 UB TO-106 TO-66 (TO-213AA)

2N3507 Datenblatt PDF

Laden Sie 2N3507 PDF -Datenblätter und Central Semiconductor Corp -Dokumentation für 2N3507 - Central Semiconductor Corp herunter.

Umweltinformationen
RoHS Cert.pdf
Datenblätter
2N3506-07.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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    +00852 9146 4856

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2N3507

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