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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2N3563
Central Semiconductor Corp
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2N3563 - Central Semiconductor Corp

Hersteller Artikelnummer
2N3563
Hersteller
Central Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-2N3563
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 12V TO106
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-106-3 Domed
Datenblatt
2N3563.pdf
vorrätig: 5010

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Spezifikation

2N3563 Tech -Spezifikationen
Central Semiconductor Corp - 2N3563 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Central Semiconductor Corp - 2N3563

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Central Semiconductor  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 12 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic -  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-106  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse TO-106-3 Domed  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 600MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 8mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Central Semiconductor Corp 2N3563.

Produkteigenschaften 2N3563 2N3501 2N3507 2N3585
Artikelnummer 2N3563 2N3501 2N3507 2N3585
Hersteller Central Semiconductor Corp Microchip Technology Microchip Technology Solid State Inc.
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Serie - - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic - 400mV @ 15mA, 150mA 1.5V @ 250mA, 2.5A 750mV @ 125mA, 1A
Paket Bulk Bulk Bulk Box
Supplier Device-Gehäuse TO-106 TO-39 (TO-205AD) TO-39 TO-66
Strom - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO) 10µA (ICBO) 1µA 5mA
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 8mA, 10V 100 @ 150mA, 10V 35 @ 500mA, 1V 25 @ 1A, 1V
Verpackung / Gehäuse TO-106-3 Domed TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-213AA, TO-66-2
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 12 V 150 V 50 V 300 V
Frequenz - Übergang 600MHz - - -
Betriebstemperatur - -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ)

2N3563 Datenblatt PDF

Laden Sie 2N3563 PDF -Datenblätter und Central Semiconductor Corp -Dokumentation für 2N3563 - Central Semiconductor Corp herunter.

Umweltinformationen
RoHS Cert.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
EOL 01/Feb/2017.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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    +00852 9146 4856

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2N3563

Central Semiconductor Corp
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