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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBDV64A
Central Semiconductor Corp
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BDV64A - Central Semiconductor Corp

Hersteller Artikelnummer
BDV64A
Hersteller
Central Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-BDV64A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 80V 12A TO218
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-218-3
Datenblatt
Power Transistors TO-218 Case General Purpose.pdf
vorrätig: 4490

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Anzahl

Spezifikation

BDV64A Tech -Spezifikationen
Central Semiconductor Corp - BDV64A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Central Semiconductor Corp - BDV64A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Central Semiconductor  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic -  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TO-218  
Serie -  
Leistung - max 125 W  
Verpackung / Gehäuse TO-218-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 60MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 5A, 4V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 12 A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Central Semiconductor Corp BDV64A.

Produkteigenschaften BDV64A KSA1142OSTU BDV65A BC817-25,215
Artikelnummer BDV64A KSA1142OSTU BDV65A BC817-25,215
Hersteller Central Semiconductor Corp onsemi Central Semiconductor Corp NXP USA Inc.
Transistor-Typ PNP PNP NPN NPN
Paket Bulk Tube Bulk Bulk
Verpackung / Gehäuse TO-218-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-218-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Serie - - - Automotive, AEC-Q101
Supplier Device-Gehäuse TO-218 TO-126-3 TO-218 SOT-23
Frequenz - Übergang 60MHz 180MHz 60MHz 100MHz
Leistung - max 125 W 1.2 W 125 W 250 mW
Strom - Kollektor (Ic) (max) 12 A 100 mA 12 A 500 mA
Strom - Collector Cutoff (Max) - 1µA (ICBO) - 100nA (ICBO)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 5A, 4V 100 @ 10mA, 5V 1000 @ 5A, 4V 160 @ 100mA, 1V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 80 V 180 V 80 V 45 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic - 500mV @ 5mA, 50mA - 700mV @ 50mA, 500mA
Betriebstemperatur - 150°C (TJ) - 150°C (TJ)

BDV64A Datenblatt PDF

Laden Sie BDV64A PDF -Datenblätter und Central Semiconductor Corp -Dokumentation für BDV64A - Central Semiconductor Corp herunter.

Umweltinformationen
RoHS Cert.pdf
Datenblätter
Power Transistors TO-218 Case General Purpose.pdf

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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    +00852 9146 4856

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BDV64A

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