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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBDV64B
Central Semiconductor Corp
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BDV64B - Central Semiconductor Corp

Hersteller Artikelnummer
BDV64B
Hersteller
Central Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-BDV64B
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 100V 12A TO218
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-218-3
Datenblatt
Power Transistors TO-218 Case General Purpose.pdf
vorrätig: 4380

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Anzahl

Spezifikation

BDV64B Tech -Spezifikationen
Central Semiconductor Corp - BDV64B Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Central Semiconductor Corp - BDV64B

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Central Semiconductor  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic -  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TO-218  
Serie -  
Leistung - max 125 W  
Verpackung / Gehäuse TO-218-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 60MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 5A, 4V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 12 A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Central Semiconductor Corp BDV64B.

Produkteigenschaften BDV64B KST5088MTF 2SAR572D3TL1 BDV65A
Artikelnummer BDV64B KST5088MTF 2SAR572D3TL1 BDV65A
Hersteller Central Semiconductor Corp onsemi Rohm Semiconductor Central Semiconductor Corp
Transistor-Typ PNP NPN PNP NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max) 12 A 50 mA 5 A 12 A
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Leistung - max 125 W 350 mW 10 W 125 W
Strom - Collector Cutoff (Max) - 50nA (ICBO) 1µA (ICBO) -
Serie - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 1000 @ 5A, 4V 300 @ 100µA, 5V 200 @ 500mA, 3V 1000 @ 5A, 4V
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V 30 V 30 V 80 V
Verpackung / Gehäuse TO-218-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-218-3
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic - 500mV @ 1mA, 10mA 400mV @ 100mA, 2A -
Supplier Device-Gehäuse TO-218 SOT-23-3 TO-252 TO-218
Frequenz - Übergang 60MHz 50MHz 300MHz 60MHz
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Betriebstemperatur - - 150°C (TJ) -

BDV64B Datenblatt PDF

Laden Sie BDV64B PDF -Datenblätter und Central Semiconductor Corp -Dokumentation für BDV64B - Central Semiconductor Corp herunter.

Umweltinformationen
RoHS Cert.pdf
Datenblätter
Power Transistors TO-218 Case General Purpose.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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    +00852 9146 4856

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