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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelTIP34C
Central Semiconductor Corp
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TIP34C - Central Semiconductor Corp

Hersteller Artikelnummer
TIP34C
Hersteller
Central Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TIP34C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 100V 10A TO218
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-218-3
Datenblatt
Power Transistors TO-218 Case General Purpose.pdf
vorrätig: 5420

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Anzahl

Spezifikation

TIP34C Tech -Spezifikationen
Central Semiconductor Corp - TIP34C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Central Semiconductor Corp - TIP34C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Central Semiconductor  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic -  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse TO-218  
Serie -  
Leistung - max 80 W  
Verpackung / Gehäuse TO-218-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 3MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 3A, 4V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 10 A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Central Semiconductor Corp TIP34C.

Produkteigenschaften TIP34C TIP33C TIP35C TIP35C
Artikelnummer TIP34C TIP33C TIP35C TIP35C
Hersteller Central Semiconductor Corp Central Semiconductor Corp NTE Electronics, Inc STMicroelectronics
Verpackung / Gehäuse TO-218-3 TO-218-3 TO-218-3 TO-247-3
Frequenz - Übergang 3MHz 3MHz 3MHz 3MHz
Paket Bulk Bulk Bag Tube
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 3A, 4V 100 @ 3A, 4V 10 @ 15A, 4V 10 @ 15A, 4V
Leistung - max 80 W 80 W 125 W 125 W
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic - - - 4V @ 5A, 25A
Strom - Collector Cutoff (Max) - - - 1mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 10 A 10 A 25 A 25 A
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V 100 V 100 V 100 V
Supplier Device-Gehäuse TO-218 TO-218 TO-218 TO-247-3
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Transistor-Typ PNP NPN NPN NPN

TIP34C Datenblatt PDF

Laden Sie TIP34C PDF -Datenblätter und Central Semiconductor Corp -Dokumentation für TIP34C - Central Semiconductor Corp herunter.

Umweltinformationen
RoHS Cert.pdf
Datenblätter
Power Transistors TO-218 Case General Purpose.pdf

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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