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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelTIP35C
Central Semiconductor Corp
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

TIP35C - Central Semiconductor Corp

Hersteller Artikelnummer
TIP35C
Hersteller
Central Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TIP35C
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 100V 25A TO218
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-218-3
Datenblatt
Power Transistors TO-218 Case General Purpose.pdf
TIP35, TIP36 Series.pdf
vorrätig: 4740

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Spezifikation

TIP35C Tech -Spezifikationen
Central Semiconductor Corp - TIP35C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Central Semiconductor Corp - TIP35C

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Central Semiconductor  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic -  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-218  
Serie -  
Leistung - max 125 W  
Verpackung / Gehäuse TO-218-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 3MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 10 @ 15A, 4V  
Strom - Collector Cutoff (Max) -  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 25 A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Central Semiconductor Corp TIP35C.

Produkteigenschaften TIP35C TIP34B TIP36C TIP34C
Artikelnummer TIP35C TIP34B TIP36C TIP34C
Hersteller Central Semiconductor Corp NTE Electronics, Inc Central Semiconductor Corp NTE Electronics, Inc
Supplier Device-Gehäuse TO-218 TO-218 TO-218 TO-218
Paket Bulk Bag Bulk Bag
Serie - - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V 80 V 100 V 100 V
Strom - Collector Cutoff (Max) - - - -
Frequenz - Übergang 3MHz 3MHz 3MHz 3MHz
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Leistung - max 125 W 80 W 125 W 80 W
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 10 @ 15A, 4V 100 @ 3A, 4V 10 @ 15A, 4V 100 @ 3A, 4V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-218-3 TO-218-3 TO-218-3 TO-218-3
Transistor-Typ NPN PNP PNP PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max) 25 A 10 A 25 A 10 A

TIP35C Datenblatt PDF

Laden Sie TIP35C PDF -Datenblätter und Central Semiconductor Corp -Dokumentation für TIP35C - Central Semiconductor Corp herunter.

Umweltinformationen
RoHS Cert.pdf
Datenblätter
Power Transistors TO-218 Case General Purpose.pdf TIP35, TIP36 Series.pdf

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Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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