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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRF1404Z
AUIRF1404Z Image
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AUIRF1404Z - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRF1404Z
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF1404Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
AUIRF1404Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9297

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF1404Z Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRF1404Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRF1404Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4340 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc)  
Grundproduktnummer AUIRF1404  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRF1404Z.

Produkteigenschaften AUIRF1404Z AUIRF1404 AUIRF1324S-7P AUIRF1405ZS
Artikelnummer AUIRF1404Z AUIRF1404 AUIRF1324S-7P AUIRF1405ZS
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc) 160A (Tc) 240A (Tc) 150A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer AUIRF1404 - - -
Verlustleistung (max) 200W (Tc) 333W (Tc) 300W (Tc) 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 75A, 10V 4mOhm @ 121A, 10V 1mOhm @ 160A, 10V 4.9mOhm @ 75A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4340 pF @ 25 V 5669 pF @ 25 V 7700 pF @ 19 V 4780 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB PG-TO263-7 D2PAK
Paket Tube Bulk Bulk Bulk
Serie HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 24 V 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 196 nC @ 10 V 252 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
FET-Merkmal - - - -

AUIRF1404Z Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRF1404Z PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRF1404Z - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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