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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRF1404ZL
Infineon Technologies
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AUIRF1404ZL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRF1404ZL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF1404ZL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 160A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
AUIRF1404ZL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5170

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF1404ZL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRF1404ZL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRF1404ZL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4340 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRF1404ZL.

Produkteigenschaften AUIRF1404ZL AUIRF1404Z AUIRF1405ZS AUIRF1404ZS
Artikelnummer AUIRF1404ZL AUIRF1404Z AUIRF1405ZS AUIRF1404ZS
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-220AB D2PAK D2PAK
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc) 160A (Tc) 150A (Tc) 160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4340 pF @ 25 V 4340 pF @ 25 V 4780 pF @ 25 V 4340 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 55 V 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 200W (Tc) 200W (Tc) 230W (Tc) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 75A, 10V 3.7mOhm @ 75A, 10V 4.9mOhm @ 75A, 10V 3.7mOhm @ 75A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Bulk Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

AUIRF1404ZL Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRF1404ZL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRF1404ZL - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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