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AUIRF3315STRL Image
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AUIRF3315STRL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRF3315STRL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF3315STRL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
AUIRF3315S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3660

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF3315STRL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRF3315STRL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRF3315STRL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 94W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRF3315STRL.

Produkteigenschaften AUIRF3315STRL AUIRF3205Z AUIRF3315S AUIRF3007
Artikelnummer AUIRF3315STRL AUIRF3205Z AUIRF3315S AUIRF3007
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 170W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 200W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-220AB D2PAK TO-220AB
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 3450 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 3270 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc) 75A (Tc) 21A (Tc) 75A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 55 V 150 V 75 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 12A, 10V 6.5mOhm @ 66A, 10V 82mOhm @ 12A, 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V

AUIRF3315STRL Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRF3315STRL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRF3315STRL - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 31/Jul/2019.pdf
Datenblätter
AUIRF3315S.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
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Asien Indien 4
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