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AUIRF3805STRL Image
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AUIRF3805STRL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRF3805STRL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF3805STRL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
AUIRF3805STRL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9292

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF3805STRL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRF3805STRL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRF3805STRL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 75A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7960 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 290 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRF3805STRL.

Produkteigenschaften AUIRF3805STRL AUIRF4104 AUIRF3808S AUIRF3315STRL
Artikelnummer AUIRF3805STRL AUIRF4104 AUIRF3808S AUIRF3315STRL
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 40 V 75 V 150 V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7960 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V 5310 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 140W (Tc) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc) 75A (Tc) 106A (Tc) 21A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 75A, 10V 5.5mOhm @ 75A, 10V 7mOhm @ 82A, 10V 82mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 290 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Serie HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-220 D2PAK D2PAK

AUIRF3805STRL Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRF3805STRL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRF3805STRL - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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