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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFR4615
AUIRFR4615 Image
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AUIRFR4615 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRFR4615
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFR4615
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
AUIRFR4615.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3770

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Anzahl

Spezifikation

AUIRFR4615 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRFR4615 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRFR4615

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 144W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc)  
Grundproduktnummer AUIRFR4615  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRFR4615.

Produkteigenschaften AUIRFR4615 AUIRFR4620 AUIRFR5305TR AUIRFR4620TRL
Artikelnummer AUIRFR4615 AUIRFR4620 AUIRFR5305TR AUIRFR4620TRL
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 50 V 1710 pF @ 50 V 1200 pF @ 25 V 1710 pF @ 50 V
Verlustleistung (max) 144W (Tc) 144W (Tc) - 144W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252AA) D-PAK (TO-252AA) D-Pak D-PAK (TO-252AA)
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 200 V 55 V 200 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc) 24A (Tc) 31A (Tc) 24A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 21A, 10V 78mOhm @ 15A, 10V 65mOhm @ 16A, 10V 78mOhm @ 15A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Grundproduktnummer AUIRFR4615 AUIRFR4620 AUIRFR5305 AUIRFR4620

AUIRFR4615 Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRFR4615 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRFR4615 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
Ozeanien Australien 6
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Asien Indien 4
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