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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFR4615TRL
AUIRFR4615TRL Image
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AUIRFR4615TRL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRFR4615TRL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFR4615TRL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
AUIRFR4615TRL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 24457

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Anzahl

Spezifikation

AUIRFR4615TRL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRFR4615TRL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRFR4615TRL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 144W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc)  
Grundproduktnummer AUIRFR4615  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRFR4615TRL.

Produkteigenschaften AUIRFR4615TRL AUIRFR5305 AUIRFR4620TRL AUIRFR4292
Artikelnummer AUIRFR4615TRL AUIRFR5305 AUIRFR4620TRL AUIRFR4292
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 21A, 10V 65mOhm @ 16A, 10V 78mOhm @ 15A, 10V 345mOhm @ 5.6A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc) 31A (Tc) 24A (Tc) 9.3A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D-PAK (TO-252AA) D-Pak D-PAK (TO-252AA) DPAK
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer AUIRFR4615 AUIRFR5305 AUIRFR4620 -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA 5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1750 pF @ 50 V 1200 pF @ 25 V 1710 pF @ 50 V 705 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 55 V 200 V 250 V
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verlustleistung (max) 144W (Tc) 110W (Tc) 144W (Tc) 100W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

AUIRFR4615TRL Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRFR4615TRL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRFR4615TRL - Infineon Technologies herunter.

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