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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFS3004TRL
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AUIRFS3004TRL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRFS3004TRL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFS3004TRL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK-3
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
AUIRFS3004TRL.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 10702

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Spezifikation

AUIRFS3004TRL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRFS3004TRL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRFS3004TRL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75mOhm @ 195A, 10V  
Verlustleistung (max) 380W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Tc)  
Grundproduktnummer AUIRFS3004  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRFS3004TRL.

Produkteigenschaften AUIRFS3004TRL AUIRFR9024N AUIRFS3004 AUIRFS3107-7P
Artikelnummer AUIRFS3004TRL AUIRFR9024N AUIRFS3004 AUIRFS3107-7P
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75mOhm @ 195A, 10V 175mOhm @ 6.6A, 10V 1.75mOhm @ 195A, 10V 2.6mOhm @ 160A, 10V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 55 V 40 V 75 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3 D-PAK (TO-252AA) D2PAK-3 (TO-263) D2PAK (7-Lead)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Tc) 11A (Tc) 195A (Tc) 240A (Tc)
Verlustleistung (max) 380W (Tc) 38W (Tc) 380W (Tc) 370W (Tc)
Grundproduktnummer AUIRFS3004 - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9200 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 9200 pF @ 25 V 9200 pF @ 50 V

AUIRFS3004TRL Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRFS3004TRL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRFS3004TRL - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
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Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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