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AUIRFS3006 Image
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AUIRFS3006 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRFS3006
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFS3006
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
AUIRFS3006.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4100

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Anzahl

Spezifikation

AUIRFS3006 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRFS3006 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRFS3006

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 170A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8970 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRFS3006.

Produkteigenschaften AUIRFS3006 AUIRFS3004TRL AUIRFS3004-7P AUIRFS3107
Artikelnummer AUIRFS3006 AUIRFS3004TRL AUIRFS3004-7P AUIRFS3107
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 380W (Tc) 380W (Tc) 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 170A, 10V 1.75mOhm @ 195A, 10V 1.25mOhm @ 195A, 10V 3mOhm @ 140A, 10V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK PG-TO263-3 PG-TO263-7 D2PAK
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8970 pF @ 50 V 9200 pF @ 25 V 9130 pF @ 25 V 9370 pF @ 50 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 40 V 40 V 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Tc) 195A (Tc) 240A (Tc) 195A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

AUIRFS3006 Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRFS3006 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRFS3006 - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 13/May/2020.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
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Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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