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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSC010N04LSTATMA1
BSC010N04LSTATMA1 Image
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BSC010N04LSTATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSC010N04LSTATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSC010N04LSTATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSC010N04LSTATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 29333

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Anzahl

Spezifikation

BSC010N04LSTATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSC010N04LSTATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSC010N04LSTATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8 FL  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 167W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9520 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 133 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 39A (Ta), 100A (Tc)  
Grundproduktnummer BSC010  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSC010N04LSTATMA1.

Produkteigenschaften BSC010N04LSTATMA1 BSC011N03LSATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 BSC010N04LS6ATMA1
Artikelnummer BSC010N04LSTATMA1 BSC011N03LSATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 BSC010N04LS6ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 167W (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9520 pF @ 20 V 4700 pF @ 15 V 4200 pF @ 12 V 4600 pF @ 20 V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 30 V 25 V 40 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer BSC010 BSC011 BSC010 BSC010
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 133 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 67 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8 FL PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-7 PG-TDSON-8-6
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 50A, 10V 1.1mOhm @ 30A, 10V 1.05mOhm @ 30A, 10V 1mOhm @ 50A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 39A (Ta), 100A (Tc) 37A (Ta), 100A (Tc) 38A (Ta), 100A (Tc) 40A (Ta), 100A (Tc)

BSC010N04LSTATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSC010N04LSTATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSC010N04LSTATMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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