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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSC011N03LSATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSC011N03LSATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSC011N03LSATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSC011N03LSATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 56480

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Anzahl

Spezifikation

BSC011N03LSATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSC011N03LSATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSC011N03LSATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-1  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 96W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37A (Ta), 100A (Tc)  
Grundproduktnummer BSC011  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSC011N03LSATMA1.

Produkteigenschaften BSC011N03LSATMA1 BSC012N06NSATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 BSC010N04LSTATMA1
Artikelnummer BSC011N03LSATMA1 BSC012N06NSATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 BSC010N04LSTATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 60 V 25 V 40 V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 3.3V @ 147µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Grundproduktnummer BSC011 BSC012 BSC010 BSC010
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 30A, 10V 1.2mOhm @ 50A, 10V 1.05mOhm @ 30A, 10V 1mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 143 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 133 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 37A (Ta), 100A (Tc) 36A (Ta), 306A (Tc) 38A (Ta), 100A (Tc) 39A (Ta), 100A (Tc)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 214W (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-1 PG-TSON-8-3 PG-TDSON-8-7 PG-TDSON-8 FL
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 15 V 11000 pF @ 30 V 4200 pF @ 12 V 9520 pF @ 20 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

BSC011N03LSATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSC011N03LSATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSC011N03LSATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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