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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSC0503NSIATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSC0503NSIATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSC0503NSIATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSC0503NSIATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSC0503NSIATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 59480

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Anzahl

Spezifikation

BSC0503NSIATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSC0503NSIATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSC0503NSIATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-6  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 36W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Ta), 88A (Tc)  
Grundproduktnummer BSC0503  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSC0503NSIATMA1.

Produkteigenschaften BSC0503NSIATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 BSC050N03LSGATMA1 BSC0502NSIATMA1
Artikelnummer BSC0503NSIATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 BSC050N03LSGATMA1 BSC0502NSIATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-6
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3.5V @ 90µA 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 80 V 30 V 30 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 36W (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 30A, 10V 4.7mOhm @ 50A, 10V 5mOhm @ 30A, 10V 2.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer BSC0503 BSC047 BSC050 BSC0502
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 15 V 4800 pF @ 40 V 2800 pF @ 15 V 1600 pF @ 15 V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Ta), 88A (Tc) 18A (Ta), 100A (Tc) 18A (Ta), 80A (Tc) 26A (Ta), 100A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN

BSC0503NSIATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSC0503NSIATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSC0503NSIATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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