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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSC050N03LSGATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSC050N03LSGATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSC050N03LSGATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSC050N03LSGATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSC050N03LSGATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 96810

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Anzahl

Spezifikation

BSC050N03LSGATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSC050N03LSGATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSC050N03LSGATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-5  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta), 80A (Tc)  
Grundproduktnummer BSC050  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSC050N03LSGATMA1.

Produkteigenschaften BSC050N03LSGATMA1 BSC050NE2LSATMA1 BSC0503NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1
Artikelnummer BSC050N03LSGATMA1 BSC050NE2LSATMA1 BSC0503NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-6
Grundproduktnummer BSC050 BSC050 BSC0503 BSC0502
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Ta), 80A (Tc) 39A (Ta), 58A (Tc) 22A (Ta), 88A (Tc) 26A (Ta), 100A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 10.4 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 25 V 30 V 30 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 30A, 10V 5mOhm @ 30A, 10V 3mOhm @ 30A, 10V 2.3mOhm @ 30A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 15 V 760 pF @ 12 V 1300 pF @ 15 V 1600 pF @ 15 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

BSC050N03LSGATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSC050N03LSGATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSC050N03LSGATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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