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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSC110N06NS3GATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSC110N06NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSC110N06NS3GATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSC110N06NS3GATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 84960

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Anzahl

Spezifikation

BSC110N06NS3GATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSC110N06NS3GATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSC110N06NS3GATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 23µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-5  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer BSC110  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSC110N06NS3GATMA1.

Produkteigenschaften BSC110N06NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 BSC118N10NSG
Artikelnummer BSC110N06NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 BSC118N10NSG
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 150 V 100 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 8V, 10V 10V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 78W (Tc) 125W (Tc) 114W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 23µA 3.5V @ 45µA 4.6V @ 91µA 4V @ 70µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 50A, 10V 10.9mOhm @ 46A, 10V 11mOhm @ 38A, 10V 11.8mOhm @ 50A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 30 V 2500 pF @ 50 V 2770 pF @ 75 V 3700 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Grundproduktnummer BSC110 BSC109 BSC110 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 2
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-7 PG-TDSON-8-1
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 63A (Tc) 76A (Tc) 11A (Ta), 71A (Tc)

BSC110N06NS3GATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSC110N06NS3GATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSC110N06NS3GATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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