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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSC118N10NSG
Infineon Technologies
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BSC118N10NSG - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSC118N10NSG
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSC118N10NSG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
BSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSC118N10NSG.pdf
vorrätig: 4990

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Anzahl

Spezifikation

BSC118N10NSG Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSC118N10NSG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSC118N10NSG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 70µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-1  
Serie OptiMOS™ 2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.8mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 114W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 71A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSC118N10NSG.

Produkteigenschaften BSC118N10NSG BSC119N03MSCG BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N06NS3GATMA1
Artikelnummer BSC118N10NSG BSC119N03MSCG BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 71A (Tc) 11A (Ta), 39A (Tc) 76A (Tc) 50A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 8V, 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 70µA 2V @ 250µA 4.6V @ 91µA 4V @ 23µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.8mOhm @ 50A, 10V 11.9mOhm @ 30A, 10V 11mOhm @ 38A, 10V 11mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-7 PG-TDSON-8-5
Verlustleistung (max) 114W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 125W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3700 pF @ 50 V 1500 pF @ 15 V 2770 pF @ 75 V 2700 pF @ 30 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 30 V 150 V 60 V
Serie OptiMOS™ 2 OptiMOS™3 OptiMOS™ OptiMOS™
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Lieferung

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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