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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSC120N03MSGATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSC120N03MSGATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSC120N03MSGATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSC120N03MSGATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSC120N03MSGATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 128310

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Anzahl

Spezifikation

BSC120N03MSGATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSC120N03MSGATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSC120N03MSGATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-5  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 28W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 39A (Tc)  
Grundproduktnummer BSC120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSC120N03MSGATMA1.

Produkteigenschaften BSC120N03MSGATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N10LSGATMA1 BSC120N03LSG
Artikelnummer BSC120N03MSGATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N10LSGATMA1 BSC120N03LSG
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Grundproduktnummer BSC120 BSC123 BSC123 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 80 V 100 V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) 114W (Tc) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 30A, 10V 12.3mOhm @ 33A, 10V 12.3mOhm @ 50A, 10V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 39A (Tc) 11A (Ta), 55A (Tc) 10.6A (Ta), 71A (Tc) -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 3.5V @ 33µA 2.4V @ 72µA -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 15 V 1870 pF @ 40 V 4900 pF @ 50 V -
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1 -

BSC120N03MSGATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSC120N03MSGATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSC120N03MSGATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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