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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSC123N10LSGATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSC123N10LSGATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSC123N10LSGATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSC123N10LSGATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSC123N10LSGATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 53480

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Anzahl

Spezifikation

BSC123N10LSGATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSC123N10LSGATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSC123N10LSGATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 72µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-1  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.3mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 114W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.6A (Ta), 71A (Tc)  
Grundproduktnummer BSC123  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSC123N10LSGATMA1.

Produkteigenschaften BSC123N10LSGATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC120N03MSGATMA1
Artikelnummer BSC123N10LSGATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC120N03MSGATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 50 V 680 pF @ 100 V 1870 pF @ 40 V 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 72µA 4V @ 25µA 3.5V @ 33µA 2V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.6A (Ta), 71A (Tc) 11.3A (Tc) 11A (Ta), 55A (Tc) 11A (Ta), 39A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer BSC123 BSC12DN20 BSC123 BSC120
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 200 V 80 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.3mOhm @ 50A, 10V 125mOhm @ 5.7A, 10V 12.3mOhm @ 33A, 10V 12mOhm @ 30A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-5
FET-Merkmal - - - -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Verlustleistung (max) 114W (Tc) 50W (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

BSC123N10LSGATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSC123N10LSGATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSC123N10LSGATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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