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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysBSD223P L6327
BSD223P L6327 Image
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BSD223P L6327 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSD223P L6327
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSD223P L6327
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
BSD223P.pdf
vorrätig: 4210

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Spezifikation

BSD223P L6327 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSD223P L6327 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSD223P L6327

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1.5µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT363-PO  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V  
Leistung - max 250mW  
Verpackung / Gehäuse 6-VSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 56pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.62nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 390mA  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer BSD223  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSD223P L6327.

Produkteigenschaften BSD223P L6327 BSD223P BSD235NH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1
Artikelnummer BSD223P L6327 BSD223P BSD235NH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT363-PO PG-SOT363-PO PG-SOT363-PO PG-SOT363-6-1
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 2 OptiMOS™
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Grundproduktnummer BSD223 BSD223 BSD235 BSD235
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V 350mOhm @ 950mA, 4.5V 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 56pF @ 15V 56pF @ 15V 63pF @ 10V 47pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.62nC @ 4.5V 0.62nC @ 4.5V 0.32nC @ 4.5V 0.34nC @ 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 390mA 390mA 950mA 950mA, 530mA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 250mW 250mW 500mW 500mW
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1.5µA 1.2V @ 1.5µA 1.2V @ 1.6µA 1.2V @ 1.6µA

BSD223P L6327 Datenblatt PDF

Laden Sie BSD223P L6327 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSD223P L6327 - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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