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BSO200N03 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSO200N03
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSO200N03
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
BSO200N03.pdf
vorrätig: 4120

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Anzahl

Spezifikation

BSO200N03 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSO200N03 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSO200N03

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 13µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-DSO-8  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7.9A, 10V  
Leistung - max 1.4W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1010pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.6A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer BSO200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSO200N03.

Produkteigenschaften BSO200N03 BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03 BSO150N3
Artikelnummer BSO200N03 BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03 BSO150N3
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Leistung - max 1.4W 1.4W 1.4W -
Supplier Device-Gehäuse PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8 -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 5V 17nC @ 10V 15nC @ 5V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V -
Grundproduktnummer BSO200 BSO150 BSO150 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7.9A, 10V 15mOhm @ 9.3A, 10V 15mOhm @ 9.1A, 10V -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.6A 8A 7.6A -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 13µA 2V @ 250µA 2V @ 25µA -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1010pF @ 15V 1300pF @ 15V 1890pF @ 15V -

BSO200N03 Datenblatt PDF

Laden Sie BSO200N03 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSO200N03 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
BSO200N03.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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