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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSO200N03S
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BSO200N03S - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSO200N03S
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSO200N03S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
BSO200N03S.pdf
vorrätig: 5490

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Anzahl

Spezifikation

BSO200N03S Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSO200N03S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSO200N03S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 10µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-DSO-8  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.56W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSO200N03S.

Produkteigenschaften BSO200N03S BSO150N03MDG BSO203SP BSO130P03S
Artikelnummer BSO200N03S BSO150N03MDG BSO203SP BSO130P03S
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 15 V - 3750 pF @ 15 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8.8A, 10V - 21mOhm @ 8.9A, 4.5V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 10µA - 1.2V @ 50µA -
Supplier Device-Gehäuse PG-DSO-8 - PG-DSO-8 -
Serie OptiMOS™ - OptiMOS® -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (Max) ±20V - ±12V -
Paket Tape & Reel (TR) - Bulk -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V - 20 V -
Typ FET N-Channel - P-Channel -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 5 V - 39 nC @ 4.5 V -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Verlustleistung (max) 1.56W (Ta) - 1.6W (Ta) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 2.5V, 4.5V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Ta) - 7A (Ta) -
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount -

BSO200N03S Datenblatt PDF

Laden Sie BSO200N03S PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSO200N03S - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
BSO200N03S.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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