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BSO612CV Image
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BSO612CV - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSO612CV
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSO612CV
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
BSO612CV.pdf
vorrätig: 4410

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Spezifikation

BSO612CV Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSO612CV Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSO612CV

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-DSO-8  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A, 2A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer BSO612  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSO612CV.

Produkteigenschaften BSO612CV BSO350N03 BSO615CGHUMA1 BSO612CVG
Artikelnummer BSO612CV BSO350N03 BSO615CGHUMA1 BSO612CVG
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA 2V @ 6µA 2V @ 20µA 4V @ 20µA, 4V @ 450µA
Leistung - max 2W 1.4W 2W 2W (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Serie SIPMOS® OptiMOS™ SIPMOS® -
Grundproduktnummer BSO612 BSO350N03 BSO615 -
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Standard
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A, 2A 5A 3.1A, 2A 3A (Ta), 2A (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 25V 480pF @ 15V 380pF @ 25V 340pF, 400pF @ 25V
Konfiguration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 30V 60V 60V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V 3.7nC @ 5V 22.5nC @ 10V 15.5nC @ 10V, 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3A, 10V 35mOhm @ 6A, 10V 110mOhm @ 3.1A, 10V 120mOhm @ 3A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V

BSO612CV Datenblatt PDF

Laden Sie BSO612CV PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSO612CV - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
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Datenblätter
BSO612CV.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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