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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysBSO350N03
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BSO350N03 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSO350N03
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSO350N03
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
BSO350N03.pdf
vorrätig: 5080

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Spezifikation

BSO350N03 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSO350N03 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSO350N03

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 6µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-DSO-8  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 10V  
Leistung - max 1.4W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer BSO350N03  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSO350N03.

Produkteigenschaften BSO350N03 BSO612CVG BSO4804 BSO612CV
Artikelnummer BSO350N03 BSO612CVG BSO4804 BSO612CV
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A 3A (Ta), 2A (Ta) 8A 3A, 2A
Leistung - max 1.4W 2W (Ta) 2W 2W
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 60V 30V 60V
FET-Merkmal Logic Level Gate Standard Logic Level Gate -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 6µA 4V @ 20µA, 4V @ 450µA 2V @ 30µA 4V @ 20µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 15V 340pF, 400pF @ 25V 870pF @ 25V 340pF @ 25V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) - 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
Paket Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie OptiMOS™ - OptiMOS™ SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 10V 120mOhm @ 3A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V 20mOhm @ 8A, 10V 120mOhm @ 3A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 5V 15.5nC @ 10V, 16nC @ 10V 17nC @ 5V 15.5nC @ 10V
Grundproduktnummer BSO350N03 - BSO4804 BSO612

BSO350N03 Datenblatt PDF

Laden Sie BSO350N03 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSO350N03 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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