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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSS315PH6327XTSA1
BSS315PH6327XTSA1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSS315PH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSS315PH6327XTSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
BSS315PH6327XTSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 344600

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Anzahl

Spezifikation

BSS315PH6327XTSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSS315PH6327XTSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSS315PH6327XTSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 11µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 500mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 282 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3 nC @ 5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Ta)  
Grundproduktnummer BSS315  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSS315PH6327XTSA1.

Produkteigenschaften BSS315PH6327XTSA1 BSS606NH6327 BSS316NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1
Artikelnummer BSS315PH6327XTSA1 BSS606NH6327 BSS316NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer BSS315 - BSS316 BSS606
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 11µA 2.3V @ 15µA 2V @ 3.7µA 2.3V @ 15µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 282 pF @ 15 V 657 pF @ 25 V 94 pF @ 15 V 657 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 500mW (Ta) 1W (Ta) 500mW (Ta) 1W (Ta)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-243AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-243AA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3 nC @ 5 V 5.6 nC @ 5 V 0.6 nC @ 5 V 5.6 nC @ 5 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 1.5A, 10V 60mOhm @ 3.2A, 10V 160mOhm @ 1.4A, 10V 60mOhm @ 3.2A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 60 V 30 V 60 V
Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23 PG-SOT89-4-2 PG-SOT23 PG-SOT89
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Ta) 3.2A (Ta) 1.4A (Ta) 3.2A (Ta)
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ 3 OptiMOS™ OptiMOS™
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

BSS315PH6327XTSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSS315PH6327XTSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSS315PH6327XTSA1 - Infineon Technologies herunter.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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