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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBTS282Z E3180A
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BTS282Z E3180A - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BTS282Z E3180A
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BTS282Z E3180A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Datenblatt
BTS282Z.pdf
vorrätig: 3910

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Spezifikation

BTS282Z E3180A Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BTS282Z E3180A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BTS282Z E3180A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 240µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-7-180  
Serie TEMPFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 232 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Temperature Sensing Diode  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 49 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BTS282Z E3180A.

Produkteigenschaften BTS282Z E3180A BTS244Z E3062A BTS282ZE3230AKSA2 BTS282Z E3230
Artikelnummer BTS282Z E3180A BTS244Z E3062A BTS282ZE3230AKSA2 BTS282Z E3230
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 35A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal Temperature Sensing Diode Temperature Sensing Diode Temperature Sensing Diode Temperature Sensing Diode
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie TEMPFET® TEMPFET® TEMPFET® TEMPFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 240µA 2V @ 130µA 2V @ 240µA 2V @ 240µA
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-7-180 PG-TO220-5-62 PG-TO220-7-12 P-TO220-7-230
Drain-Source-Spannung (Vdss) 49 V 55 V 49 V 49 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V 13mOhm @ 19A, 10V 6.5mOhm @ 36A, 10V 6.5mOhm @ 36A, 10V
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 170W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB TO-220-7 TO-220-7
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 232 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 232 nC @ 10 V 232 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V 2660 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

BTS282Z E3180A Datenblatt PDF

Laden Sie BTS282Z E3180A PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BTS282Z E3180A - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
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PCN -Obsoleszenz/ EOL
BTS282Z Devices 10/Sep/2013.pdf

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