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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBUZ73A H
BUZ73A H Image
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BUZ73A H - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BUZ73A H
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BUZ73A H
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
BUZ 73A H.pdf
vorrätig: 4820

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Anzahl

Spezifikation

BUZ73A H Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BUZ73A H Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BUZ73A H

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3  
Serie SIPMOS®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BUZ73A H.

Produkteigenschaften BUZ73A H BUZ73A BUZ73AL BUZ73A
Artikelnummer BUZ73A H BUZ73A BUZ73AL BUZ73A
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Harris Corporation
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3 PG-TO220-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4.5A, 10V 600mOhm @ 4.5A, 10V 600mOhm @ 3.5A, 5V 600mOhm @ 4.5A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 530 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 840 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 4V @ 1mA 2V @ 1mA 4V @ 1mA
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 40W (Tc) 40W (Tc) 40W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc) 5.5A (Tc) 5.5A (Tc) 5.5A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -

BUZ73A H Datenblatt PDF

Laden Sie BUZ73A H PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BUZ73A H - Infineon Technologies herunter.

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BUZ 73A H.pdf
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Multiple Devices 30/Aug/2013.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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