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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPA045N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPA045N10N3GXKSA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPA045N10N3GXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPA045N10N3GXKSA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IPA045N10N3GXKSA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 38296

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Anzahl

Spezifikation

IPA045N10N3GXKSA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPA045N10N3GXKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPA045N10N3GXKSA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 64A, 10V  
Verlustleistung (max) 39W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8410 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc)  
Grundproduktnummer IPA045  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPA045N10N3GXKSA1.

Produkteigenschaften IPA045N10N3GXKSA1 IPA057N06N3G IPA057N08N3GXKSA1 IPA057N08N3G
Artikelnummer IPA045N10N3GXKSA1 IPA057N06N3G IPA057N08N3GXKSA1 IPA057N08N3G
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 6V, 10V 6V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8410 pF @ 50 V 6600 pF @ 30 V 4750 pF @ 40 V 4750 pF @ 40 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc)
Grundproduktnummer IPA045 - IPA057 -
Verlustleistung (max) 39W (Tc) 38W (Tc) 39W (Tc) 39W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 80 V 80 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-FP PG-TO220-3-111 PG-TO220-FP PG-TO220-3-111
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA 4V @ 58µA 3.5V @ 90µA 3.5V @ 90µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 64A, 10V 5.7mOhm @ 60A, 10V 5.7mOhm @ 60A, 10V 5.7mOhm @ 60A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™3 OptiMOS™ OptiMOS™3
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tube Bulk Tube Bulk
FET-Merkmal - - - -

IPA045N10N3GXKSA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPA045N10N3GXKSA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPA045N10N3GXKSA1 - Infineon Technologies herunter.

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