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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPA057N06N3G
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPA057N06N3G - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPA057N06N3G
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPA057N06N3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IPA057N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IPA057N06N3G.pdf
vorrätig: 4590

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Anzahl

Spezifikation

IPA057N06N3G Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPA057N06N3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPA057N06N3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 58µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-111  
Serie OptiMOS™3  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 60A, 10V  
Verlustleistung (max) 38W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPA057N06N3G.

Produkteigenschaften IPA057N06N3G IPA045N10N3GXKSA1 IPA057N08N3G IPA057N08N3GXKSA1
Artikelnummer IPA057N06N3G IPA045N10N3GXKSA1 IPA057N08N3G IPA057N08N3GXKSA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 58µA 3.5V @ 150µA 3.5V @ 90µA 3.5V @ 90µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 30 V 8410 pF @ 50 V 4750 pF @ 40 V 4750 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82 nC @ 10 V 117 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 60A, 10V 4.5mOhm @ 64A, 10V 5.7mOhm @ 60A, 10V 5.7mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (max) 38W (Tc) 39W (Tc) 39W (Tc) 39W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-111 PG-TO220-FP PG-TO220-3-111 PG-TO220-FP
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie OptiMOS™3 OptiMOS™ OptiMOS™3 OptiMOS™
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) 64A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc)
Paket Bulk Tube Bulk Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 80 V 80 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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