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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPA50R250CP
Infineon Technologies
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IPA50R250CP - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPA50R250CP
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPA50R250CP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IPA50R250 - 500V COOLMOS N-CHANN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IPA50R250CP.pdf
vorrätig: 29797

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Anzahl

Spezifikation

IPA50R250CP Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPA50R250CP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPA50R250CP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 520µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-31  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 7.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 33W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1420 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPA50R250CP.

Produkteigenschaften IPA50R250CP IPA50R380CE IPA50R299CPXKSA1 IPA50R299CP
Artikelnummer IPA50R250CP IPA50R380CE IPA50R299CPXKSA1 IPA50R299CP
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Bulk Tube Tube Bulk
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 550 V 500 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-31 PG-TO220-FP PG-TO220-3-31 PG-TO220-3-31
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 13V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 520µA 3.5V @ 260µA 3.5V @ 440µA 3.5V @ 440µA
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Verlustleistung (max) 33W (Tc) 29.2W (Tc) 104W (Tc) 104W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1420 pF @ 100 V 584 pF @ 100 V 1190 pF @ 100 V 1190 pF @ 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc) 9.9A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 24.8 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 7.8A, 10V 380mOhm @ 3.2A, 13V 299mOhm @ 6.6A, 10V 299mOhm @ 6.6A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Lieferung

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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