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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPA50R299CP
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPA50R299CP - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPA50R299CP
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPA50R299CP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IPA50R299CP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3850

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Anzahl

Spezifikation

IPA50R299CP Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPA50R299CP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPA50R299CP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-31  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 104W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPA50R299CP.

Produkteigenschaften IPA50R299CP IPA50R500CE IPA50R520CP IPA50R350CP
Artikelnummer IPA50R299CP IPA50R500CE IPA50R520CP IPA50R350CP
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 100 V 433 pF @ 100 V 680 pF @ 100 V 1020 pF @ 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA 3.5V @ 200µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 370µA
Paket Bulk Tube Bulk Bulk
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 104W (Tc) 28W (Tc) 66W (Tc) 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V 500mOhm @ 2.3A, 13V 520mOhm @ 3.8A, 10V 350mOhm @ 5.6A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 18.7 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 13V 10V 10V
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 7.6A (Tc) 7.1A (Tc) 10A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-3-31 PG-TO220-3-31 PG-TO220-3-31 PG-TO220-3-31
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -

Lieferung

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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