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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB034N06L3GATMA1
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IPB034N06L3GATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPB034N06L3GATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPB034N06L3GATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IPB034N06L3GATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 34285

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Anzahl

Spezifikation

IPB034N06L3GATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPB034N06L3GATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPB034N06L3GATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 93µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 90A, 10V  
Verlustleistung (max) 167W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13000 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer IPB034  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPB034N06L3GATMA1.

Produkteigenschaften IPB034N06L3GATMA1 IPB031NE7N3GATMA1 IPB035N08N3GATMA1 IPB034N06N3G
Artikelnummer IPB034N06L3GATMA1 IPB031NE7N3GATMA1 IPB035N08N3GATMA1 IPB034N06N3G
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 75 V 80 V 60 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 93µA 3.8V @ 155µA 3.5V @ 155µA 4V @ 93µA
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc)
Grundproduktnummer IPB034 IPB031 IPB035 -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3 PG-TO263-7-3
Verlustleistung (max) 167W (Tc) 214W (Tc) 214W (Tc) 167W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79 nC @ 4.5 V 117 nC @ 10 V 117 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 90A, 10V 3.1mOhm @ 100A, 10V 3.5mOhm @ 100A, 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13000 pF @ 30 V 8130 pF @ 37.5 V 8110 pF @ 40 V 11000 pF @ 30 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 6V, 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 3

IPB034N06L3GATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPB034N06L3GATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPB034N06L3GATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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