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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB034N06N3G
Infineon Technologies
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IPB034N06N3G - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPB034N06N3G
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPB034N06N3G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Datenblatt
IPB034N06N3G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 46300

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Anzahl

Spezifikation

IPB034N06N3G Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPB034N06N3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPB034N06N3G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 93µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-7-3  
Serie OptiMOS™ 3  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 167W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11000 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPB034N06N3G.

Produkteigenschaften IPB034N06N3G IPB034N06L3GATMA1 IPB035N08N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1
Artikelnummer IPB034N06N3G IPB034N06L3GATMA1 IPB035N08N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 80 V 60 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 167W (Tc) 167W (Tc) 214W (Tc) 188W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 79 nC @ 4.5 V 117 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-7-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11000 pF @ 30 V 13000 pF @ 30 V 8110 pF @ 40 V 11000 pF @ 30 V
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie OptiMOS™ 3 OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 90A (Tc) 100A (Tc) 90A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 93µA 2.2V @ 93µA 3.5V @ 155µA 4V @ 90µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 100A, 10V 3.4mOhm @ 90A, 10V 3.5mOhm @ 100A, 10V 3.7mOhm @ 90A, 10V

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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