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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB60R299CP
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPB60R299CP - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPB60R299CP
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPB60R299CP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IPB60R299CP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4030

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Anzahl

Spezifikation

IPB60R299CP Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPB60R299CP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPB60R299CP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 96W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPB60R299CP.

Produkteigenschaften IPB60R299CP IPB60R385CP IPB60R250CP IPB60R520CP
Artikelnummer IPB60R299CP IPB60R385CP IPB60R250CP IPB60R520CP
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA 3.5V @ 340µA 3.5V @ 520µA 3.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V 385mOhm @ 5.2A, 10V 250mOhm @ 7.8A, 10V 520mOhm @ 3.8A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) 9A (Tc) 12A (Tc) 6.8A (Tc)
Serie CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
Verlustleistung (max) 96W (Tc) 83W (Tc) 104W (Tc) 66W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 100 V 790 pF @ 100 V 1200 pF @ 100 V 630 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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