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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB60R385CP
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPB60R385CP - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPB60R385CP
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPB60R385CP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
N-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IPB60R385CP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3870

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Anzahl

Spezifikation

IPB60R385CP Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPB60R385CP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPB60R385CP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 340µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 385mOhm @ 5.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPB60R385CP.

Produkteigenschaften IPB60R385CP IPB64N25S320ATMA1 IPB60R299CP IPB60R520CP
Artikelnummer IPB60R385CP IPB64N25S320ATMA1 IPB60R299CP IPB60R520CP
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 340µA 4V @ 270µA 3.5V @ 440µA 3.5V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 100 V 7000 pF @ 25 V 1100 pF @ 100 V 630 pF @ 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 385mOhm @ 5.2A, 10V 20mOhm @ 64A, 10V 299mOhm @ 6.6A, 10V 520mOhm @ 3.8A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 83W (Tc) 300W (Tc) 96W (Tc) 66W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc) 64A (Tc) 11A (Tc) 6.8A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 250 V 600 V 600 V
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Serie CoolMOS™ OptiMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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