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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB80N03S4L-03
Infineon Technologies
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IPB80N03S4L-03 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPB80N03S4L-03
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPB80N03S4L-03
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IPB80N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IPB80N03S4L-03.pdf
vorrätig: 4460

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Spezifikation

IPB80N03S4L-03 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPB80N03S4L-03 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPB80N03S4L-03

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 45µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2  
Serie CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 94W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPB80N03S4L-03.

Produkteigenschaften IPB80N03S4L-03 IPB80N03S4L03ATMA1 IPB77N06S3-09 IPB80N04S2H4ATMA2
Artikelnummer IPB80N03S4L-03 IPB80N03S4L03ATMA1 IPB77N06S3-09 IPB80N04S2H4ATMA2
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie CoolMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ CoolMOS™
Vgs (Max) ±16V ±16V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 77A (Tc) 80A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 55 V 40 V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 94W (Tc) 94W (Tc) 107W (Tc) 300W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V 5335 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 103 nC @ 10 V 148 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 45µA 2.2V @ 45µA 4V @ 55µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 80A, 10V 3.3mOhm @ 80A, 10V 8.8mOhm @ 39A, 10V 3.7mOhm @ 80A, 10V

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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