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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPB80N03S4L03ATMA1
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IPB80N03S4L03ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPB80N03S4L03ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPB80N03S4L03ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IPx80N03S4L-03,04.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4660

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Anzahl

Spezifikation

IPB80N03S4L03ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPB80N03S4L03ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPB80N03S4L03ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 45µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 80A, 10V  
Verlustleistung (max) 94W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer IPB80N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPB80N03S4L03ATMA1.

Produkteigenschaften IPB80N03S4L03ATMA1 IPB80N04S3-04 IPB80N03S4L-03 IPB80N04S2H4ATMA2
Artikelnummer IPB80N03S4L03ATMA1 IPB80N04S3-04 IPB80N03S4L-03 IPB80N04S2H4ATMA2
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 40 V 30 V 40 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-1 PG-TO263-3-2 PG-TO263-3-2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
Verlustleistung (max) 94W (Tc) 136W (Tc) 94W (Tc) 300W (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±20V ±16V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V 5200 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 45µA 4V @ 90µA 2.2V @ 45µA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer IPB80N - - IPB80N
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 80A, 10V 4.1mOhm @ 80A, 10V 3.7mOhm @ 80A, 10V 3.7mOhm @ 80A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 148 nC @ 10 V

IPB80N03S4L03ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPB80N03S4L03ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPB80N03S4L03ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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