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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPC100N04S402ATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPC100N04S402ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPC100N04S402ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPC100N04S402ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IPC100N04S4-02.pdf
vorrätig: 3850

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Spezifikation

IPC100N04S402ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPC100N04S402ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPC100N04S402ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 80µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-23  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer IPC100N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPC100N04S402ATMA1.

Produkteigenschaften IPC100N04S402ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1
Artikelnummer IPC100N04S402ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-23 PG-TDSON-8-34 PG-TDSON-8-34 PG-TDSON-8-34
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 150W (Tc) 75W (Tc) 150W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 50A, 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V 2.8mOhm @ 50A, 10V 1.2mOhm @ 50A, 10V
Grundproduktnummer IPC100N IPC100 IPC100 IPC100
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 80µA 2V @ 90µA 3.4V @ 30µA 3.4V @ 90µA
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 7V, 10V 7V, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8100 pF @ 25 V 8250 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V 7650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 131 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc)

IPC100N04S402ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPC100N04S402ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPC100N04S402ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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