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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPC100N04S51R7ATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPC100N04S51R7ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPC100N04S51R7ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPC100N04S51R7ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IPC100N04S51R7ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 48519

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Spezifikation

IPC100N04S51R7ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPC100N04S51R7ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPC100N04S51R7ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.4V @ 60µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-34  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 115W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4810 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 83 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer IPC100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPC100N04S51R7ATMA1.

Produkteigenschaften IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S402ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1
Artikelnummer IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R2ATMA1 IPC100N04S402ATMA1 IPC100N04S52R8ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Grundproduktnummer IPC100 IPC100 IPC100N IPC100
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™
Verlustleistung (max) 115W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc) 75W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V 7V, 10V 10V 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 50A, 10V 1.2mOhm @ 50A, 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V 2.8mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 83 nC @ 10 V 131 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-34 PG-TDSON-8-34 PG-TDSON-8-23 PG-TDSON-8-34
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3.4V @ 60µA 3.4V @ 90µA 4V @ 80µA 3.4V @ 30µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4810 pF @ 25 V 7650 pF @ 25 V 8100 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -

IPC100N04S51R7ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPC100N04S51R7ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPC100N04S51R7ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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