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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPC50N04S5L5R5ATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPC50N04S5L5R5ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPC50N04S5L5R5ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IPC50N04S5L5R5ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 93770

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Anzahl

Spezifikation

IPC50N04S5L5R5ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPC50N04S5L5R5ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPC50N04S5L5R5ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 13µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-33  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1209 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer IPC50N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPC50N04S5L5R5ATMA1.

Produkteigenschaften IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04S5L1R9ATMA1 IPC90N04S5L3R3ATMA1
Artikelnummer IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1 IPC100N04S5L1R9ATMA1 IPC90N04S5L3R3ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 13µA 2V @ 90µA 2V @ 50µA 2V @ 23µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) 90A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 25A, 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V 1.9mOhm @ 50A, 10V 3.3mOhm @ 45A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 42W (Tc) 150W (Tc) 100W (Tc) 62W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Grundproduktnummer IPC50N IPC100 IPC100 IPC90N04
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-33 PG-TDSON-8-34 PG-TDSON-8-34 PG-TDSON-8-34
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1209 pF @ 25 V 8250 pF @ 25 V 4310 pF @ 25 V 2145 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IPC50N04S5L5R5ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPC50N04S5L5R5ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPC50N04S5L5R5ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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