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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPC90N04S5L3R3ATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPC90N04S5L3R3ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPC90N04S5L3R3ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPC90N04S5L3R3ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IPC90N04S5L3R3ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 71570

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Spezifikation

IPC90N04S5L3R3ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPC90N04S5L3R3ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPC90N04S5L3R3ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 23µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-34  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 45A, 10V  
Verlustleistung (max) 62W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2145 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer IPC90N04  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPC90N04S5L3R3ATMA1.

Produkteigenschaften IPC90N04S5L3R3ATMA1 IPC100N04S5L1R9ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1
Artikelnummer IPC90N04S5L3R3ATMA1 IPC100N04S5L1R9ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1 IPC100N04S5L1R1ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Grundproduktnummer IPC90N04 IPC100 IPC50N IPC100
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 100A (Tc) 50A (Tc) 100A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2145 pF @ 25 V 4310 pF @ 25 V 1209 pF @ 25 V 8250 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verlustleistung (max) 62W (Tc) 100W (Tc) 42W (Tc) 150W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 23µA 2V @ 50µA 2V @ 13µA 2V @ 90µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 45A, 10V 1.9mOhm @ 50A, 10V 5.5mOhm @ 25A, 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-34 PG-TDSON-8-34 PG-TDSON-8-33 PG-TDSON-8-34
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IPC90N04S5L3R3ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPC90N04S5L3R3ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPC90N04S5L3R3ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPCyyN04S5 Assembly Chgs 23/Oct/2018.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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