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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD060N03LGATMA1
IPD060N03LGATMA1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPD060N03LGATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD060N03LGATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD060N03LGATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IP(D,F,S,U)060N03L G.pdf
RoHS Status
vorrätig: 78840

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Anzahl

Spezifikation

IPD060N03LGATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD060N03LGATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD060N03LGATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 56W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD060  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD060N03LGATMA1.

Produkteigenschaften IPD060N03LGATMA1 IPD068P03L3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 IPD060N03LG
Artikelnummer IPD060N03LGATMA1 IPD068P03L3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 IPD060N03LG
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3-11
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IPD060 IPD068 IPD068 -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 30A, 10V 6.8mOhm @ 70A, 10V 6.8mOhm @ 90A, 10V 6mOhm @ 30A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 70A (Tc) 90A (Tc) 50A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™3
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2V @ 150µA 3.5V @ 90µA 2.2V @ 250µA
Verlustleistung (max) 56W (Tc) 100W (Tc) 150W (Tc) 56W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 15 V 7720 pF @ 15 V 4910 pF @ 50 V 2300 pF @ 15 V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 100 V 30 V

IPD060N03LGATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD060N03LGATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD060N03LGATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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