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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD068N10N3GATMA1
IPD068N10N3GATMA1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IPD068N10N3GATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD068N10N3GATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD068N10N3GATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD068N10N3GATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 32880

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Anzahl

Spezifikation

IPD068N10N3GATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD068N10N3GATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD068N10N3GATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 90A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4910 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD068  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD068N10N3GATMA1.

Produkteigenschaften IPD068N10N3GATMA1 IPD06N03LAG IPD060N03LG IPD060N03LGATMA1
Artikelnummer IPD068N10N3GATMA1 IPD06N03LAG IPD060N03LG IPD060N03LGATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4910 pF @ 50 V 2653 pF @ 15 V 2300 pF @ 15 V 2400 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 90A, 10V 5.7mOhm @ 30A, 10V 6mOhm @ 30A, 10V 6mOhm @ 30A, 10V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™3 OptiMOS™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 83W (Tc) 56W (Tc) 56W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA 2V @ 40µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 25 V 30 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IPD068 - - IPD060
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 22 nC @ 5 V 30 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IPD068N10N3GATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD068N10N3GATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD068N10N3GATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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