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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD35N10S3L26ATMA1
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IPD35N10S3L26ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD35N10S3L26ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD35N10S3L26ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD35N10S3L26ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 62420

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Anzahl

Spezifikation

IPD35N10S3L26ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD35N10S3L26ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD35N10S3L26ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 39µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 71W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD35N10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD35N10S3L26ATMA1.

Produkteigenschaften IPD35N10S3L26ATMA1 IPD350N06LGBTMA1 IPD380P06NMATMA1 IPD35N10S3L-26
Artikelnummer IPD35N10S3L26ATMA1 IPD350N06LGBTMA1 IPD380P06NMATMA1 IPD35N10S3L-26
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 39µA 2V @ 28µA 4V @ 1.7mA -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 29A (Tc) 35A (Tc) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 60 V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 25 V 800 pF @ 30 V 2500 pF @ 30 V -
Grundproduktnummer IPD35N10 IPD350 IPD380 -
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 35A, 10V 35mOhm @ 29A, 10V 38mOhm @ 35A, 10V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 13 nC @ 5 V 63 nC @ 10 V -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Verlustleistung (max) 71W (Tc) 68W (Tc) 125W (Tc) -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3 -

IPD35N10S3L26ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD35N10S3L26ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD35N10S3L26ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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