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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD380P06NMATMA1
IPD380P06NMATMA1 Image
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IPD380P06NMATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD380P06NMATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD380P06NMATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD380P06NMATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 29166

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Spezifikation

IPD380P06NMATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD380P06NMATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD380P06NMATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1.7mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD380  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD380P06NMATMA1.

Produkteigenschaften IPD380P06NMATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 IPD40DP06NMATMA1 IPD40N03S4L08ATMA1
Artikelnummer IPD380P06NMATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1 IPD40DP06NMATMA1 IPD40N03S4L08ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 35A (Tc) 4.3A (Tc) 40A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1.7mA 2.4V @ 39µA 4V @ 166µA 2.2V @ 13µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±16V
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 71W (Tc) 19W (Tc) 42W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 6.7 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-11
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 35A, 10V 24mOhm @ 35A, 10V 400mOhm @ 4.3A, 10V 8.3mOhm @ 40A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 60 V 30 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 30 V 2700 pF @ 25 V 260 pF @ 30 V 1520 pF @ 15 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Grundproduktnummer IPD380 IPD35N10 IPD40DP06 IPD40N03

IPD380P06NMATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD380P06NMATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD380P06NMATMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
OptiMOS Dev A/T Add 3/Feb/2022.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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