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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD40N03S4L08ATMA1
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IPD40N03S4L08ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD40N03S4L08ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD40N03S4L08ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD40N03S4L08ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 84980

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Anzahl

Spezifikation

IPD40N03S4L08ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD40N03S4L08ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD40N03S4L08ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 13µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 42W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1520 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)  
Grundproduktnummer IPD40N03  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD40N03S4L08ATMA1.

Produkteigenschaften IPD40N03S4L08ATMA1 IPD50N03S207ATMA1 IPD50N03S2-07 IPD380P06NMATMA1
Artikelnummer IPD40N03S4L08ATMA1 IPD50N03S207ATMA1 IPD50N03S2-07 IPD380P06NMATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 13µA 4V @ 85µA 4V @ 85µA 4V @ 1.7mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1520 pF @ 15 V 2000 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V 2500 pF @ 30 V
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-1 PG-TO252-3
Verlustleistung (max) 42W (Tc) 136W (Tc) 136W (Tc) 125W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 35A (Tc)
Grundproduktnummer IPD40N03 IPD50 IPD50 IPD380
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V 60 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 40A, 10V 7.3mOhm @ 50A, 10V 7.3mOhm @ 50A, 10V 38mOhm @ 35A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -

IPD40N03S4L08ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD40N03S4L08ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD40N03S4L08ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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