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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIPD50R280CEAUMA1
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IPD50R280CEAUMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IPD50R280CEAUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IPD50R280CEAUMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 13A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
IPD50R280CEAUMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 38390

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Anzahl

Spezifikation

IPD50R280CEAUMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IPD50R280CEAUMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IPD50R280CEAUMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3  
Serie CoolMOS™ CE  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.2A, 13V  
Verlustleistung (max) 119W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 773 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta)  
Grundproduktnummer IPD50R  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IPD50R280CEAUMA1.

Produkteigenschaften IPD50R280CEAUMA1 IPD50R2K0CE IPD50R399CPATMA1 IPD50P04P4L11ATMA2
Artikelnummer IPD50R280CEAUMA1 IPD50R2K0CE IPD50R399CPATMA1 IPD50P04P4L11ATMA2
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 - PG-TO252-3-313 PG-TO252-3-313
Typ FET N-Channel - N-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.2A, 13V - 399mOhm @ 4.9A, 10V 10.6mOhm @ 50A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V - 10V 4.5V, 10V
Serie CoolMOS™ CE * CoolMOS™ CP OptiMOS®-P2
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V - 500 V 40 V
Verlustleistung (max) 119W (Tc) - 83W (Tc) 58W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V - ±20V +5V, -16V
Grundproduktnummer IPD50R IPD50R IPD50R IPD50
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta) - 9A (Tc) 50A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA - 3.5V @ 330µA 2.2V @ 85µA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 773 pF @ 100 V - 890 pF @ 100 V 3900 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 10 V - 23 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V

IPD50R280CEAUMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IPD50R280CEAUMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IPD50R280CEAUMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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